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口腔医学技术(士)［代码：103］

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用釉粉上釉的烧结温度是

  • A、低于体瓷烧结温度6～8℃
  • B、高于体瓷烧结温度10℃
  • C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
  • D、形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
  • E、防止磨料成分污染金属表面
正确答案:A

自身釉烧结的温度是

  • A、低于体瓷烧结温度6～8℃
  • B、高于体瓷烧结温度10℃
  • C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
  • D、形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
  • E、防止磨料成分污染金属表面
正确答案:B

金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是

  • A、低于体瓷烧结温度6～8℃
  • B、高于体瓷烧结温度10℃
  • C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
  • D、形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
  • E、防止磨料成分污染金属表面
正确答案:E

除气、氧化的目的是

  • A、低于体瓷烧结温度6～8℃
  • B、高于体瓷烧结温度10℃
  • C、高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
  • D、形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
  • E、防止磨料成分污染金属表面
正确答案:D
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